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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利一种适用于宽电压范围的全域软开关DAB拓扑及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119696385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510219948.4，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权一种适用于宽电压范围的全域软开关DAB拓扑及控制方法是由彭星;肖凡;蒋毅;涂春鸣;郭祺;肖威龙;周志设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于宽电压范围的全域软开关DAB拓扑及控制方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种适用于宽电压范围的全域软开关DAB拓扑，包括：输入侧桥臂组、变压器组与输出侧桥臂组；该拓扑实现的控制方法，包括在一个半开关周期期间内，不同的工作阶段下，不同电流通路的控制下，在保证宽电压增益的前提下，不仅扩展了ZVS范围，且通过优化电流应力，进一步降低了与电流相关的损耗，从而提升了整个变换器的运行效率。

本发明授权一种适用于宽电压范围的全域软开关DAB拓扑及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于宽电压范围的全域软开关DAB拓扑，其特征在于，包括：输入侧桥臂组、变压器组与输出侧桥臂组；所述输入侧桥臂组包括输入电容桥臂、主功率桥臂和副功率桥臂，输入电压V1的正负极分别依次连接所述输入电容桥臂和所述副功率桥臂的两端，其中，所述输入电容桥臂中包括串联的输入分裂滤波电容C1和输入分裂滤波电容C2，所述C1的负极和C2的正极相连形成的结点为C，所述主功率桥臂包括串联的MOSFETS5和S6，且S5和S6中含反并联二极管，S6中的反并联二极管的方向为源极到漏极，S5中的反并联二极管的方向为漏极到源极,S5的漏极分别连接于C1的负极和C2的正极处，副功率桥臂包括串联的MOSFETS1和S2，串联的MOSFETS3和S4，且S1、S2、S3和S4中均含反并联二极管，S1的源极和S2的漏极相连形成的结点为A,S3的源极、S4的漏极和S5的源极相连形成的结点为B；变压器组包括主功率变压器Tr1、副功率变压器Tr2、交流电感Lk和隔直电容器Cdc，Tr1原边负极与隔直电容器Cdc的一端相连，隔直电容器Cdc的另一端与结点B相连，Tr2原边正极和Tr1原边正极分别与结点A相连，Tr2原边负极与结点C相连，Tr1副边正极与交流电感Lk的一端相连，Tr1副边负极和Tr2副边正极相连；输出侧桥臂组包括两个串联的MOSFETQ1和Q2，两个串联的分裂滤波电容C3和C4，且Q1和Q2中均含反并联二极管，Q1的源极和Q2的漏极相连形成的结点为F，结点F与交流电感Lk的另一端相连，C3负极和C4正极相连形成的结点为G，结点G与Tr2副边负极相连，V2的正极分别与Q1漏极和C3正极相连，V2的负极分别与Q2的源极和C4负极相连。

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