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龙图腾网恭喜西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种用于高压PMOS的驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119675642B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183701.1，技术领域涉及：H03K17/284；该发明授权一种用于高压PMOS的驱动电路是由陈勇;张晓菲;夏雪;王婉;刘仕莹设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高压PMOS的驱动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及电子电路设计技术领域，尤其是一种用于高压PMOS的驱动电路，包括参考电位点GND，还包括：第一N型MOS管NM1的源极、第六N型MOS管NM6的源极、第四N型MOS管NM4的源极、第二N型MOS管NM2的源极、第五N型MOS管NM5的源极、第三N型MOS管NM3的源极与GND相连；齐纳二极管D1的负端、电阻R1、第一P型MOS管PM1的源极、齐纳二极管D2的负端、电阻R2、第二P型MOS管PM2的源极、齐纳二极管D3的负端、电阻R3、第三N型MOS管NM3的漏极与VIN相连；驱动控制，用于控制第一P型MOS管PM1和第二P型MOS管PM2的导通与关断；通过合理设计的电路结构和控制逻辑，实现了对高压PMOS功率管栅源电压的有效控制，提高了驱动能力，降低了导通阻抗，并优化了高压PMOS功率管的性能。

本发明授权一种用于高压PMOS的驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种用于高压PMOS的驱动电路，包括参考电位点GND，其特征在于，还包括：第一N型MOS管NM1的源极、第六N型MOS管NM6的源极、第四N型MOS管NM4的源极、第二N型MOS管NM2的源极、第五N型MOS管NM5的源极、第三N型MOS管NM3的源极与GND相连；齐纳二极管D1的负端、电阻R1、第一P型MOS管PM1的源极、齐纳二极管D2的负端、电阻R2、第二P型MOS管PM2的源极、齐纳二极管D3的负端、电阻R3、第三N型MOS管NM3的漏极与VIN相连；第一N型MOS管NM1的漏极、第一N型MOS管NM1的栅极、第二N型MOS管NM2的栅极、第三N型MOS管NM3的栅极与外部电流源IBIAS相连；驱动控制，用于控制第一P型MOS管PM1和第二P型MOS管PM2的导通与关断；所述驱动控制包括四个逻辑信号HS、HSN、HS_SHOT、HS_SHOTB，所述HS为P型MOS管开关的逻辑信号，HSN为HS经过一个反相器的逻辑信号，HS_SHOT为HS的上升沿检测的逻辑信号，HS_SHOTB为HS的下降沿检测的逻辑信号；所述第六N型MOS管NM6的栅极与控制信号HS_SHOT相连，所述第六N型MOS管NM6的漏极、齐纳二极管D1的正端、电阻R1、第一P型MOS管PM1的栅极相连；还包括第七N型MOS管NM7，所述第七N型MOS管NM7的栅极与控制信号HSN相连，第七N型MOS管NM7的漏极、第一P型MOS管PM1的漏极、齐纳二极管D2的正端、电阻R2、第二P型MOS管PM2的栅极相连；还包括第八N型MOS管NM8，所述第八N型MOS管NM8的栅极与控制信号HS相连；第八N型MOS管NM8的漏极、第二P型MOS管PM2的漏极、齐纳二极管D3的正端、电阻R3、外部高压PMOS功率管的栅极电压HS_DRV相连；第七N型MOS管NM7的源级、第四N型MOS管NM4的漏极、第二N型MOS管NM2的漏极相连；第八N型MOS管NM8的源级、第五N型MOS管NM5的漏极、第三N型MOS管NM3的漏极相连；第四N型MOS管NM4的栅极与控制信号HS_SHOTB相连；第五N型MOS管NM5的栅极与控制信号HS_SHOT相连。

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