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龙图腾网获悉华侨大学申请的专利一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510173617.1，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装是由郭新华;李浩铭;张梓健;李淳桢设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装在说明书摘要公布了：本发明提供了一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装，涉及芯片封装技术领域；该层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装包括两层层叠设置的具有上铜层、氮化硅陶瓷层以及下铜层的基板；其中，下基板包括的上铜层包括下基板上桥铜层和下基板下桥铜层，上基板包括设置于所述下基板上桥铜层上的上桥上基板，以及设置于所述下基板下桥铜层上的下桥上基板；所述下基板上桥铜和所述下基板下桥铜层上电连接设置有多个碳化硅芯片；如此实现电流在空间上的电路流动，从而抵消杂散电感。

本发明授权一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装在权利要求书中公布了：1.一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装,其特征在于，包括两层层叠设置的具有上铜层、氮化硅陶瓷层以及下铜层的基板；其中，下基板的上铜层包括下基板上桥铜层和下基板下桥铜层，所述下基板上桥铜层的一侧设置有第一开槽，所述下基板下桥铜层设置于所述第一开槽内；而上基板包括设置于所述下基板上桥铜层上的上桥上基板，以及设置于所述下基板下桥铜层上的下桥上基板；其中，所述上桥上基板上设置有两个第二开槽，所述下桥上基板上设置有两个第三开槽；置于所述第二开槽和所述第三开槽内设置有电连接于所述下基板上桥铜层和所述下基板下桥铜层的多个碳化硅芯片；其中，置于所述第二开槽内的所述碳化硅芯片分别通过键合线与所述上桥上基板的上铜层电连接；置于所述第三开槽内的所述碳化硅芯片分别通过键合线与所述下桥上基板的上铜层电连接；其中，所述上桥上基板的上铜层通过所述键合线与所述下基板下桥铜层电连接；电流经所述下基板上桥铜层从左流向右经置于所述第二开槽内的所述碳化硅芯片后，从右流向左至所述上桥上基板的上铜层，再流入所述下基板下桥铜层，再经置于所述第三开槽内的所述碳化硅芯片后，从左流向右至所述下桥上基板的上铜层；而当电流经所述下基板上桥铜层从右流向左经置于所述第二开槽内的所述碳化硅芯片后，从左流向右至所述上桥上基板的上铜层，再流入所述下基板下桥铜层，再经置于所述第三开槽内的所述碳化硅芯片后，从右流向左至所述下桥上基板的上铜层；电流从所述下基板上桥铜层流入，经上桥的碳化硅芯片流入所述上桥上基板的上铜层，再流入所述下基板下桥铜层，经下桥的碳化硅芯片流入所述下桥上基板的上铜层后流出。

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