恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司沈磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体量测结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119627024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510162336.6，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体量测结构是由沈磊;高志杰;李阳阳;蔡宗佐设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体量测结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体量测结构，包括：半导体基底，所述半导体基底内设置有有源区；多个周期性排布的量测结构图形，所述量测结构图形包括位于所述有源区内的沟槽和位于所述沟槽一侧的凸起部；沿垂直所述半导体基底的表面的方向上，定义所述量测结构图形的截面宽度为量测图形宽度，其中，所述量测图形宽度为所述沟槽的截面宽度和所述凸起部的截面宽度之和，且所述量测图形宽度小于一量测机台的量测分辨极限值。本申请实现了半导体量测结构的快速线上监控，同时实现了对有源区内硅蚀刻深度的线上监测；通过使量测图形宽度小于量测机台的量测分辨极限值，减小了半导体量测结构的面积，有效地提升了半导体量测结构的量测速度。
本发明授权半导体量测结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体量测结构，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底内设置有有源区；多个周期性排布的量测结构图形，所述量测结构图形包括位于所述有源区内的沟槽和位于所述沟槽一侧的凸起部；沿垂直所述半导体基底的表面的方向上，定义所述量测结构图形的截面宽度为量测图形宽度，其中，所述量测图形宽度为所述沟槽的截面宽度和所述凸起部的截面宽度之和，且所述量测图形宽度小于一量测机台的量测分辨极限值。
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