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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利存储单元结构与存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603956B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510144756.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权存储单元结构与存储器件是由陈兴设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元结构与存储器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种存储单元结构与存储器件，涉及半导体技术领域，该存储单元结构由于第二子栅极的第二端部与第二有源区之间间隔设置，在设置第一共享接触结构时，可以增加第一共享接触结构的长度，这不仅降低了第一共享接触结构的接触电阻，还增加了第一共享接触结构位置偏移的容忍度，进一步提高了存储单元的性能。另外，由于第二子栅极在第一有源区和第二有源区的交错空位部分倾斜设置，不会增加存储单元的面积，有利于存储单元结构的小型化。

本发明授权存储单元结构与存储器件在权利要求书中公布了：1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括在第一方向上依次设置的第一有源区以及第二有源区；且在所述第一方向上，所述第一有源区与所述第二有源区在平行于第二方向的投影线上的正投影部分交叠；所述第一方向与所述第二方向平行于所述衬底所在平面，且所述第一方向与所述第二方向垂直；位于所述衬底一侧且沿所述第二方向排布的第一栅极以及第二栅极；所述第一栅极包括在所述第一方向上相互连接的第一子栅极与第二子栅极；所述第一子栅极在所述第一方向上延伸，且沿所述第一方向穿越所述第一有源区，所述第二子栅极包括第一端部以及第二端部，所述第一端部连接所述第一子栅极，所述第一端部在所述投影线上的正投影与所述第二有源区在所述投影线上的正投影部分交叠，所述第二端部在所述投影线上的正投影与所述第二有源区在所述投影线上的正投影间隔设置；所述第二栅极沿所述第一方向穿越所述第二有源区；第一共享接触结构沿所述第二方向延伸，所述第一共享接触结构连接所述第二端部，且连接所述第二子栅极与所述第二栅极之间的所述第二有源区。

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