恭喜江苏环鑫半导体有限公司李薛民获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏环鑫半导体有限公司申请的专利一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510134377.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法是由李薛民;叶海峰;蔡永军;吕贺贺;陆文雅;高峦田;徐嘉雯设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法在说明书摘要公布了：一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法，步骤包括：在基片上进行掺氯氧化，生长二氧化硅作为初始屏蔽层；在硅片正面进行硼扩散，以形成具有硼结的P+A区；对硅片正面和背面进行表面吸杂，以在硅片双面形成磷硅玻璃层；在硅片正面蒸铝，并保留硼扩散区上的铝层；再在硅片正面进行快速退火，以在硅片正面中的扩散区中形成P+B区；再在硅片正面和背面进行真空蒸镀获得金属层；再通过光刻法去除正面屏蔽氧化层上的金属层，获得具有低压低漏电的稳压二极管。本申请可获得具有低反向击穿电压的二极管芯片，提高产品电流密度，不仅有效降低漏电流问题，尤其是高温下的漏电流，提高产品可靠性；而且还可提高其PN结的结面积，降低曲率，提高成品质量。
本发明授权一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法，其特征在于，步骤包括：在基片上进行掺氯氧化，生长二氧化硅作为初始屏蔽层；在硅片正面进行硼扩散，以形成具有硼结的P+A区；对硅片正面和背面进行表面吸杂，以在硅片双面形成磷硅玻璃层；在硅片正面蒸铝，并保留硼扩散区上的铝层；再在硅片正面进行快速退火，以在硅片正面中的扩散区中形成P+B区；再在硅片正面和背面进行真空蒸镀获得金属层；再通过光刻法去除正面屏蔽氧化层上的金属层，获得具有低压低漏电的稳压二极管。
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