恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司吝辉辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利提高晶圆离子注入均匀性的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119581303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510127989.0,技术领域涉及:H01L21/265;该发明授权提高晶圆离子注入均匀性的方法是由吝辉辉;王曼真;方驰宇;姚智;张志坤设计研发完成,并于2025-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高晶圆离子注入均匀性的方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种提高晶圆离子注入均匀性的方法。该方法包括:调整第一线圈组的电流,获得多组第一线圈组的电流值及其对应的带状离子束的剂量率以获得第一关系曲线;调整第二线圈组的电流,获得多组第二线圈组的电流值及其对应的带状离子束的剂量率以获得第二关系曲线;获得第一关系曲线的剂量率的低值范围对应的第一线圈组的第一电流值范围,获得第二关系曲线的剂量率的低值范围对应的第二线圈组的第二电流值范围;对第一电流值范围内的电流值以及第二电流值范围内的电流值进行组合测试获得最低剂量率,以最低剂量率的对应的电流值设定第一和第二线圈组的电流参数。如此获得的带状离子束的剂量率较小,有助于改善晶圆离子注入的均匀性。
本发明授权提高晶圆离子注入均匀性的方法在权利要求书中公布了:1.一种提高晶圆离子注入均匀性的方法,其特征在于,所述晶圆利用离子植入机产生的带状离子束进行离子注入,所述离子植入机包括第一线圈组和第二线圈组,所述第一线圈组用于调整控制所述带状离子束的宽度、高度以及电流,所述第二线圈组用于调整控制所述带状离子束的高度和电流,所述带状离子束的剂量率与所述带状离子束的电流和高度相关,所述提高晶圆离子注入均匀性的方法包括:调整所述第一线圈组的电流,获得多组所述第一线圈组的电流值及其对应的带状离子束的剂量率,根据多组所述第一线圈组的电流值及其对应的所述带状离子束的剂量率获得第一关系曲线,所述第一关系曲线中,第一范围为所述剂量率的低值范围;调整所述第二线圈组的电流,获得多组所述第二线圈组的电流值及其对应的带状离子束的剂量率,根据多组所述第二线圈组的电流值及其对应的所述带状离子束的剂量率获得第二关系曲线,所述第二关系曲线中,第二范围为所述剂量率的低值范围;基于所述第一关系曲线获得所述第一范围对应的所述第一线圈组的第一电流值范围,基于所述第二关系曲线获得所述第二范围对应的所述第二线圈组的第二电流值范围;以及对所述第一电流值范围内的电流值以及所述第二电流值范围内的电流值进行组合测试所述带状离子束的剂量率并获得所述带状离子束的最低剂量率,以所述最低剂量率对应的第一线圈组的电流值作为所述第一线圈组的电流参数,以所述最低剂量率对应的第二线圈组的电流值作为所述第二线圈组的电流参数。
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