恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司蔡君正获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种超结半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510112504.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种超结半导体器件及其制备方法是由蔡君正;王文文;刘剑普;陈世昌设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超结半导体器件及其制备方法，应用于半导体器件技术领域。在本发明中，基底上形成有超结结构，所述超结结构包括N层依序堆叠的外延层，且形成每层所述外延层后，均包括在所述外延层中形成对准凹槽和在所述对准凹槽内形成第一牺牲层，其中所述N≥2；由于本发明中的第一牺牲层为具有透明特性的氧化物材料（例如二氧化硅），因此，在利用每层外延层上的内部填充有第一牺牲层的对准凹槽执行外延层的选择性第二离子注入区形成期间，对准凹槽中不仅不会有光刻胶残留的问题，并且也不会发生光刻胶残留所衍生的后续形成的外延层的对准凹槽的形状的破坏和曝光设备无法识别对准标记的问题。
本发明授权一种超结半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；形成超结结构于所述基底上，所述超结结构包括N层依序堆叠的外延层，其中，形成每层所述外延层后，均包括在所述外延层中形成对准凹槽和在所述对准凹槽内形成第一牺牲层，所述N≥2，且每层所述外延层相应的所述第一牺牲层的顶面均分别与相应的所述外延层的顶面齐平，所述第一牺牲层的材料包括绝缘材料，所述绝缘材料包括TEOS氧化物。
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