恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司刘洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510106271.3，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种MOS器件及其制备方法是由刘洋;李琦琦;李婷;周文鑫;马梦辉设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括设置在衬底上的栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧的衬底中的源区和漏区，所述栅极结构包括M型的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极在M型的两个门洞处设置有绝缘材料。本发明通过设计M型的多晶硅栅极，可以在线宽与现有技术保持不变的前提下，减少多晶硅栅极在朝向所述衬底的表面与所述衬底之间的接触面积，有效降低了寄生电容，从而减小了RC延时的效应，还能够使得多晶硅栅极保留对沟道的良好控制能力。
本发明授权一种MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件，其特征在于，包括设置在衬底上的栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧的衬底中的源区和漏区，所述栅极结构包括M型的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极在M型的两个门洞处设置有绝缘材料；其中，所述栅极结构包括栅介质层、第一多晶硅栅极、第二多晶硅栅极、第一侧墙和第二侧墙，所述栅介质层设置在所述衬底的表面，所述第一多晶硅栅极设置在所述栅介质层上，所述第一侧墙依设在所述第一多晶硅栅极两侧的侧壁上，且位于所述栅介质层上，所述第二多晶硅栅极覆盖所述第一多晶硅栅极的上表面，还覆盖所述第一侧墙以及所述第一侧墙外侧的部分长度的所述栅介质层，所述第二侧墙设置在所述第一多晶硅栅极两侧的第二多晶硅栅极上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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