恭喜北京特思迪半导体设备有限公司周惠言获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京特思迪半导体设备有限公司申请的专利用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119501801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510100173.9,技术领域涉及:B24B37/013;该发明授权用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备是由周惠言;孟炜涛;孙昕宇;蒋继乐设计研发完成,并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备在说明书摘要公布了:本发明提供一种用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备,所述方法包括:在对晶圆薄膜进行抛光的过程中,获取所述晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号;根据所述电信号和标定系数计算所述晶圆薄膜对所述单波长反射光的反射率;确定包括前一时刻的厚度在内的一个周期的厚度及反射率对应数据;根据所述反射率在所述一个周期的数据中匹配得到两组数据;比对所述两组数据中的较大厚度与所述厚度,当所述两组数据中的较大厚度大于所述厚度时,取所述两组数据中的较小厚度作为当前时刻的厚度;当所述两组数据中的较大厚度小于所述厚度时,取所述较大厚度作为当前时刻的厚度。
本发明授权用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备在权利要求书中公布了:1.一种用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法,其特征在于,包括:针对已知厚度的晶圆薄膜采集对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号;根据厚度计算所述晶圆薄膜对单波长反射光的反射率;根据反射率和电信号计算标定系数,其中所述电信号为电压信号,所述标定系数;在对晶圆薄膜进行抛光的过程中,获取晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号;根据所述电信号和标定系数计算所述晶圆薄膜对单波长光束的反射率,;确定包括前一时刻的厚度在内的一个周期的厚度及反射率对应数据,所述周期为反射率随厚度变化的周期;根据所述反射率在所述一个周期的数据中匹配得到两组数据,所述两组数据中的反射率与反射率相同,厚度的值不同;比对所述两组数据中的较大厚度与所述厚度,当所述两组数据中的较大厚度大于所述厚度时,取所述两组数据中的较小厚度作为当前时刻的厚度;当所述两组数据中的较大厚度小于所述厚度时,取所述较大厚度作为当前时刻的厚度。
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