恭喜苏州华太电子技术股份有限公司祁金伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利一种双极性SIC功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510088985.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种双极性SIC功率器件是由祁金伟设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双极性SIC功率器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种双极性SIC功率器件，包括：集电极，由多个集电极第一掺杂类型区和多个集电极第二掺杂类型区交替设置形成；衬底，由多个衬底第二掺杂类型区和多个衬底第一掺杂类型区交替设置形成；其中，所述衬底位于所述集电极之上；第二掺杂类型的外延层，形成在所述衬底之上；其中，集电极第二掺杂类型区和衬底第二掺杂类型区连接，集电极第一掺杂类型区和衬底第二掺杂类型区连接，集电极第二掺杂类型区和衬底第一掺杂类型区。本申请解决了传统的SiC的IGBT器件在小电流条件下导通损耗大的技术问题。
本发明授权一种双极性SIC功率器件在权利要求书中公布了：1.一种双极性SIC功率器件，其特征在于，包括：集电极，由多个集电极第一掺杂类型区（11）和多个集电极第二掺杂类型区（12）交替设置形成；衬底（10），由多个衬底第二掺杂类型区（10-1）和多个衬底第一掺杂类型区（10-2）交替设置形成；其中，所述衬底（10）位于所述集电极之上；第二掺杂类型的外延层（9），形成在所述衬底（10）之上；其中，集电极第二掺杂类型区（12）和衬底第二掺杂类型区（10-1）连接，集电极第一掺杂类型区（11）和衬底第二掺杂类型区（10-1）连接，集电极第二掺杂类型区（12）和衬底第一掺杂类型区（10-2）连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州华太电子技术股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号