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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510073110.9，技术领域涉及：H10N39/00；该发明授权功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由谢柳;史田超设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体还包括阱区和接触区；阱区至少位于接触区邻近第二表面的一侧；栅极结构位于第一表面；第一压电材料层位于栅极结构远离第二表面的一侧；第一压电材料层覆盖栅极结构和部分接触区；第一电极层位于第二表面；第一电极层包括第一电极和第二压电材料层，第二压电材料层位于第一电极远离第二表面的一侧；第二压电材料层设置有多个空腔，多个空腔贯穿第二压电材料层；第一电极覆盖第二表面，且第一电极填充多个空腔。本发明可以降低功耗，提高器件的开关速度和导电性能。

本发明授权功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括：半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括阱区和接触区；所述接触区位于所述第一表面，所述阱区至少位于所述接触区邻近所述第二表面的一侧；栅极结构，所述栅极结构位于所述第一表面；或者，所述第一表面设置有至少一个沟槽，所述沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体内；所述栅极结构位于所述沟槽内；第一压电材料层，所述第一压电材料层位于所述栅极结构远离所述第二表面的一侧；所述第一压电材料层覆盖所述栅极结构和部分所述接触区；第一电极层，所述第一电极层位于所述第二表面；所述第一电极层包括第一电极和第二压电材料层，所述第二压电材料层位于所述第一电极远离所述第二表面的一侧；所述第二压电材料层设置有多个空腔，所述多个空腔贯穿所述第二压电材料层；所述第一电极覆盖所述第二表面，且所述第一电极填充所述多个空腔。

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