恭喜盛美半导体设备(上海)股份有限公司戴奔获国家专利权
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龙图腾网恭喜盛美半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利晶圆缓冲层边缘的清洗方法和设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119480619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510066274.9,技术领域涉及:H01L21/02;该发明授权晶圆缓冲层边缘的清洗方法和设备是由戴奔;刘畅;仰庶;张晓燕设计研发完成,并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆缓冲层边缘的清洗方法和设备在说明书摘要公布了:本申请提供一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法和设备。清洗方法包括:旋转晶圆,向晶圆表面喷洒第一清洗液,以去除所述晶圆边缘的缓冲层,所述晶圆表面形成副产物印记;获取所述副产物印记的位置,记为标记位置;保持晶圆旋转,向所述标记位置喷洒第二清洗液,以去除所述晶圆表面的副产物印记;向所述晶圆表面喷洒冲洗液,以对所述晶圆进行冲洗。本申请的晶圆缓冲层边缘的清洗方法对晶圆表面的副产物印记进行了针对清洗,提升了晶圆的良率。
本发明授权晶圆缓冲层边缘的清洗方法和设备在权利要求书中公布了:1.一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法,其特征在于,包括:旋转晶圆,向晶圆表面喷洒第一清洗液,以去除所述晶圆边缘的缓冲层,所述晶圆表面形成副产物印记;获取所述副产物印记的位置,记为标记位置;保持晶圆旋转,向所述标记位置喷洒第二清洗液,以去除所述晶圆表面的副产物印记;向所述晶圆表面喷洒冲洗液,以对所述晶圆进行冲洗。
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