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龙图腾网恭喜上海拜安传感技术有限公司;上海拜安半导体有限公司申请的专利真空微腔干涉仪芯片、制造方法及低漂移光学压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119461234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510045540.X，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权真空微腔干涉仪芯片、制造方法及低漂移光学压力传感器是由钟少龙;龙亮;郭智慧;周伟;张鑫鑫;郭凉杰设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本真空微腔干涉仪芯片、制造方法及低漂移光学压力传感器在说明书摘要公布了：一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及低漂移光学压力传感器,在第一基底的上表面形成有膜岛结构，所述膜岛结构包括凸出部和环绕所述凸出部的压力敏感薄膜，所述第一基底的下表面沿径向方向依次设置有第一侧壁部、吸气剂腔、第二侧壁部和位于中心的F‑P干涉腔，所述F‑P干涉腔中第一基底的下表面沉积有第一反射面，所述F‑P干涉腔中第二基底的上表面沉积有第二反射面，所述凸出部的表面沉积有第一光学增透膜，所述第一光学增透膜、凸出部、压力敏感薄膜、第一反射面和第二反射面具有相同的中心；还包括通气孔，所述通气孔设置在所述第二侧壁部用于连通所述吸气剂腔和所述F‑P干涉腔。

本发明授权真空微腔干涉仪芯片、制造方法及低漂移光学压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种真空微腔干涉仪芯片,包括第一基底，第二基底和第三基底，三个所述基底通过键合连接，其特征在于：在所述第一基底的上表面形成有膜岛结构，所述膜岛结构包括凸出部和环绕所述凸出部的压力敏感薄膜，所述第一基底的下表面沿径向方向依次设置有第一侧壁部、吸气剂腔、第二侧壁部和位于中心的F-P干涉腔，所述F-P干涉腔中第一基底的下表面沉积有第一反射面，所述F-P干涉腔中第二基底的上表面沉积有第二反射面，所述凸出部的表面沉积有第一光学增透膜，所述第一光学增透膜、凸出部、压力敏感薄膜、第一反射面和第二反射面具有相同的中心；所述第三基底中心设置光纤准直器的安装孔，所述吸气剂腔中的至少一个表面设置有吸气剂薄膜；还包括至少一个通气孔，所述通气孔设置在所述第二侧壁部用于连通所述吸气剂腔和所述F-P干涉腔；所述第二基底的直径大于所述第一基底及第三基底，利用第二基底的外形尺寸大于第一基底和第三基底形成外露表面与传感器壳体进行粘接或焊接固定，使所述第一基底和第三基底以及光纤准直器与传感器壳体没有接触。

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