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龙图腾网恭喜合肥康芯威存储技术有限公司申请的专利一种存储设备及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119440423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510039044.3，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种存储设备及其控制方法是由袁学涛;赵啟鹏设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储设备及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储设备及其控制方法，包括：闪存芯片，与上位机电性连接，闪存芯片的存储块被标记为数据块或代码块，存储块的存储页包括多个核心字区域，核心字区域包括主要数据存储区域和用户数据存储区域，主要数据存储区域的地址为第一地址；内存，与上位机和闪存芯片电性连接，内存包括多个映射存储区域，在从闪存芯片读出主要数据时，主要数据存储在映射存储区域中，在映射存储区域中，主要数据的存储地址为第二地址，映射存储区域的空闲字节为第三地址；以及控制固件，存储在代码块中，在上位机读写用户数据时，控制固件在闪存芯片中运行，并允许用户数据写入第三地址或从第三地址被读出。本发明能够提升存储空间利用率和存储性能。

本发明授权一种存储设备及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种存储设备，其特征在于，包括：闪存芯片，与上位机电性连接，所述闪存芯片的存储块被标记为数据块或代码块，所述存储块的存储页包括多个核心字区域，所述核心字区域包括主要数据存储区域和用户数据存储区域，所述主要数据存储区域的地址为第一地址；内存，与所述上位机和所述闪存芯片电性连接，所述内存包括多个映射存储区域，在从所述闪存芯片读出所述主要数据时，所述主要数据存储在所述映射存储区域中，在所述映射存储区域中，所述主要数据的存储地址为第二地址，所述映射存储区域的空闲字节为第三地址，其中所述空闲字节为所述主要数据存储到所述内存后，所述内存中因字节对齐规则而空闲的字节，其中所述映射存储区域的字节总数为预设的对齐字节数的整数倍，所述第三地址的初始地址相较于所述第二地址的初始地址具有地址偏移量，所述地址偏移量为间隔闪存平面的字节总数、间隔映射存储区域的字节总数和所述主要数据存储单元的字节数的和，其中所述间隔闪存平面为所述第三地址所在闪存平面前的全部闪存平面，所述间隔映射存储区域为所述第三地址所在映射存储区域前的全部映射存储区域；以及控制固件，存储在所述代码块中，在所述上位机读写用户数据时，所述控制固件在所述闪存芯片中运行，并允许所述用户数据写入所述第三地址或从所述第三地址被读出。

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