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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510019310.6，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由谢炜;罗成志;钟敏设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体，包括阱区、第一区域和第二区域；第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面还设置有栅极沟槽和源极沟槽；第二区域包围源极沟槽的底面和侧壁；沟槽栅极位于栅极沟槽内绝缘层远离半导体本体的一侧；源极沟槽结构包括填充层位于源极沟槽内；欧姆接触层与半导体本体间的欧姆接触电阻小于金属钛与半导体本体形成欧姆接触时的欧姆接触电阻；且在欧姆接触层的退火温度下，填充层和欧姆接触层之间无化学反应中间产物。本发明实施例提供的技术方案，提升了半导体器件的电学性能。

本发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体本体还包括阱区、第一区域和第二区域；所述第一区域设置为第一导电类型且位于所述第一表面，所述阱区设置为第二导电类型且位于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面还设置有栅极沟槽和源极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中，所述源极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述第二区域设置为第二导电类型且包围所述源极沟槽的底面和侧壁；所述半导体本体还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述栅极沟槽的底面和侧壁；沟槽栅极，所述沟槽栅极位于所述栅极沟槽内所述绝缘层远离所述半导体本体的一侧；所述绝缘层用于绝缘所述半导体本体和所述沟槽栅极；源极沟槽结构，所述源极沟槽结构包括填充层，所述填充层位于所述源极沟槽内；欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述第一表面；所述欧姆接触层与所述半导体本体间的欧姆接触电阻小于金属钛与所述半导体本体形成欧姆接触时的欧姆接触电阻；且在所述欧姆接触层的退火温度下，所述填充层和所述欧姆接触层之间无化学反应中间产物；源极，所述源极位于所述欧姆接触层远离所述第一表面的一侧；漏极，所述漏极位于所述第二表面；所述欧姆接触层包括Ni、TiNi合金、Ti和Ni的叠层、NiPt合金、Ni和Pt的叠层、Co、TiAl合金以及Ti和Al的叠层的中的任意一种或其组合；所述填充层包括氮化硅、氧化硅、碳以及氮氧化硅中的任意一种或其组合；所述半导体本体包括碳化硅半导体本体或者氮化镓半导体本体；所述填充层内设置有空气隙；所述栅极沟槽的一侧设置有多个源极沟槽，所述源极沟槽结构和所述源极沟槽一一对应设置，所述欧姆接触层与所述源极沟槽结构接触。

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