恭喜中国电子科技集团公司信息科学研究院;中国电子科技集团公司第三十三研究所彭志龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司信息科学研究院;中国电子科技集团公司第三十三研究所申请的专利一种含能器件基座结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510012262.8，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权一种含能器件基座结构及其制备方法是由彭志龙;严英占;许静;徐迁;王铮;康智强;操俊;杨丽君设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含能器件基座结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种含能器件基座结构及其制备方法，该含能器件基座结构包括基座、微纳孔隙含能边界结构和含能材料填充体；基座设置有多个填充孔；微纳孔隙含能边界结构设置于填充孔的内表面；含能材料填充体填充于填充孔；其中，微纳孔隙含能边界结构包括多个微纳孔隙和填充于微纳孔隙的强氧化剂结晶物。通过在填充孔的表面设置微纳孔隙含能边界结构，极大的增加了填充孔的比表面积与摩擦系数，且强氧化剂结晶物紧密填充在微纳量级的微纳孔隙内，在热激发后，热量能首先快速有效地加至该微纳孔隙含能边界结构上，迅速引爆，释放大量能量，进而引爆填充孔内的含能材料，显著改善整个器件的引爆响应时间，降低功耗。
本发明授权一种含能器件基座结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含能器件基座结构，其特征在于，包括基座、微纳孔隙含能边界结构和含能材料填充体；所述基座设置有多个填充孔；所述微纳孔隙含能边界结构设置于所述填充孔的内表面，以增加所述填充孔的比表面积与摩擦系数；所述含能材料填充体填充于所述填充孔；其中，所述微纳孔隙含能边界结构包括设置于所述填充孔内表面的多个微纳孔隙和填充于所述微纳孔隙的强氧化剂结晶物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司信息科学研究院;中国电子科技集团公司第三十三研究所，其通讯地址为：100041 北京市石景山区实兴大街金府路30号院4号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号