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龙图腾网恭喜上海凡麒微电子有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421485B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510005943.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器是由王余峰设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器。半导体结构包括衬底以及设置于衬底同一侧的至少一个第一器件和至少一个第二器件，第一器件和第二器件串联；串联的第一器件和第二器件构成半导体器件串，半导体器件串两端的器件分别为第一器件和第二器件；第一器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，第二器件为横向扩散金属氧化物半导体晶体管；第一器件包括第一沟道区，第二器件包括第二沟道区和漂移区，第一沟道区、第二沟道区和漂移区沿第一方向排列，漂移区位于第二沟道区背离第一沟道区的一侧。通过上述方案，可实现第一器件和第二器件的单片集成，使得半导体结构同时具备高耐压以及高截止频率特性。

本发明授权一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，适用于射频功率放大器，所述半导体结构包括衬底以及设置于所述衬底同一侧的至少一个第一器件和至少一个第二器件，所述第一器件和所述第二器件串联；串联的所述第一器件和所述第二器件构成半导体器件串，所述半导体器件串包括一个所述第一器件以及多个所述第二器件；所述半导体器件串两端的器件分别为所述第一器件和所述第二器件；所述第一器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二器件为横向扩散金属氧化物半导体晶体管；所述第一器件包括第一沟道区，所述第二器件包括第二沟道区和漂移区，所述第一沟道区、所述第二沟道区和所述漂移区沿第一方向排列，所述漂移区位于所述第二沟道区背离所述第一沟道区的一侧，其中，所述第一方向平行于所述衬底所在平面的延伸方向；所述第一沟道区和所述第二沟道区相连；所述第一器件还包括第一源区，所述第二器件还包括第二漏区，沿所述第一方向，所述第一源区位于所述第一沟道区背离所述第二沟道区的一侧，所述第二漏区位于所述漂移区背离所述第二沟道区的一侧。

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