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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510001322.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件是由宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件，涉及半导体技术领域，在该制备方法中，对自对准多晶硅材料层采用第一刻蚀机台，对遮蔽材料层采用第二刻蚀机台，针对不同的材料采用专用的刻蚀机台，可以提高刻蚀的精准度，从而避免了刻蚀时需要刻蚀的材料刻蚀不干净或者由于过刻导致的材料损失，提高了产品的良率。此外形成的LDMOS器件由于覆盖遮蔽层的金属硅化物作为了LDMOS器件栅极的补充栅极，增加了导电沟道的长度，使得该LDMOS器件具有了更好的耐高压性能。

本发明授权一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底的表面；于所述衬底以及所述栅极结构上依次形成遮蔽材料层、自对准多晶硅材料层以及图形化光刻胶；基于所述图形化光刻胶，采用第一刻蚀机台至少对所述自对准多晶硅材料层进行干法刻蚀，形成自对准多晶硅层；去除至少部分所述图形化光刻胶；以所述自对准多晶硅层为掩膜层，或以所述自对准多晶硅层与剩余的所述图形化光刻胶为掩膜层，采用第二刻蚀机台，对所述遮蔽材料层进行刻蚀，形成遮蔽层；对所述自对准多晶硅层及其暴露出的所述衬底以及所述栅极结构的部分上表面进行金属硅化物工艺，以形成金属硅化物层；其中，所述第二刻蚀机台包括第一子刻蚀机台与第二子刻蚀机台；所述以所述自对准多晶硅层为掩膜层，或以所述自对准多晶硅层与剩余的所述图形化光刻胶为掩膜层，采用第二刻蚀机台，对所述遮蔽材料层进行刻蚀，形成遮蔽层，包括：采用所述第一子刻蚀机台，对部分所述遮蔽材料层进行干法刻蚀，以形成遮蔽中间层，所述遮蔽中间层包括第一遮蔽部以及第二遮蔽部，所述第二遮蔽部的厚度小于所述第一遮蔽部的厚度，且所述第一遮蔽部的靠近所述基底的一侧在所述衬底上的正投影面积大于所述第一遮蔽部的靠近所述自对准多晶硅层的一侧在所述衬底上的正投影面积；采用所述第二子刻蚀机台，对所述遮蔽中间层进行湿法刻蚀，去除所述第二遮蔽部，以形成所述遮蔽层，所述遮蔽层具有沿第一方向交替排布的第一开口以及第二开口，所述第一开口暴露沿所述第一方向相邻的所述栅极结构的部分上表面以及二者之间的所述衬底，所述第二开口暴露沿所述第一方向相邻的所述栅极结构之间的所述衬底，所述第一方向平行于所述衬底。

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