恭喜北京中科新微特科技开发股份有限公司刘志国获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京中科新微特科技开发股份有限公司申请的专利半导体器件及半导体器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510006472.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及半导体器件制备方法是由刘志国;李寿全;张彦飞;刘梦新;温霄霞设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及半导体器件制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及半导体器件制备方法，半导体器件包括：衬底；外延层，设于衬底一侧，外延层背离衬底一侧表面设有第一沟槽；栅极，至少部分位于第一沟槽内；第一氧化层，位于第一沟槽底部，第一氧化层包括平面部以及和平面部边缘连接的曲面部，曲面部朝向栅极设置，栅极的边角和曲面部匹配相接设置；栅介质层，设于栅极的侧壁，第一氧化层的厚度大于栅介质层的厚度。实现了对于第一沟槽底部的第一氧化层和栅极拐角位置的圆滑处理，降低拐角位置的峰值电场强度，提升器件的耐击穿能力，改善器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及半导体器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为第一导电类型；外延层，设于所述衬底一侧，所述外延层背离所述衬底一侧表面设有第一沟槽，所述外延层为第一导电类型；栅极，至少部分位于所述第一沟槽内；第一氧化层，位于所述第一沟槽底部，所述第一氧化层包括平面部以及和所述平面部边缘连接的曲面部，所述曲面部朝向所述栅极设置，所述栅极的边角和所述曲面部匹配相接设置；栅介质层，设于所述栅极的侧壁，所述第一氧化层的厚度大于所述栅介质层的厚度；在所述半导体器件厚度方向的横截面内，所述曲面部朝向所述栅极的第一表面呈圆弧，所述圆弧所对应的圆心角等于90°；所述第一氧化层的厚度大于或者等于2000埃米且小于或者等于3000埃米；和或，所述栅介质层的厚度大于或者等于500埃米且小于或者等于800埃米。
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