买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411984347.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器是由陈维邦设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供包括第一顶面的衬底，第一顶面包括沿背离第一顶面的第一方向依次层叠的隔离层、初始半导体层；于初始半导体层顶面形成沿第二方向间隔排布的多个隔离叠层，于相邻隔离叠层之间依次形成层叠的包含不同五价元素的第一半导体层、第二半导体层；将第一半导体层的第一五价元素扩散至初始半导体层，得到第一目标半导体层；将第二半导体层的第二五价元素扩散至第一半导体层，得到第二目标半导体层；形成覆盖第二半导体层顶面及隔离叠层的裸露外表面的介质层，增加了感光区域的电子浓度，提高了BSI图像传感器的感光性能。

本发明授权背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括：提供包括第一顶面的衬底，所述第一顶面包括沿背离所述第一顶面的第一方向依次层叠的隔离层、初始半导体层；于所述初始半导体层顶面形成沿平行于所述第一顶面的第二方向间隔排布的多个隔离叠层，所述隔离叠层包括沿所述第一方向依次层叠的中间层、格栅层，所述中间层包括沿所述第一方向依次层叠且包含不同三价元素的至少两层膜层；于相邻所述隔离叠层之间依次形成层叠的包含不同五价元素的第一半导体层、第二半导体层；所述第二半导体层的顶面不高于所述格栅层的底面；将所述第一半导体层的第一五价元素扩散至所述初始半导体层，得到包含所述第一五价元素的第一目标半导体层；将所述第二半导体层的第二五价元素扩散至所述第一半导体层，得到包含所述第二五价元素的第二目标半导体层；形成覆盖所述第二半导体层顶面及所述隔离叠层的裸露外表面的介质层；包含不同三价元素的中间层，用于与相邻的所述第一目标半导体层、所述第一半导体层、所述第二目标半导体层及所述第二半导体层之间形成PN结。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。