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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314874B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411804756.1，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由张基东;朱名杰;黄祥设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件。所述方法包括：提供半导体初始结构，其中，半导体初始结构包括衬底和于衬底一侧间隔排布的多个初始结构；形成第一牺牲结构，第一牺牲结构形成于初始结构的周向表面；于第一牺牲结构远离衬底的一侧依次形成第二牺牲层和第三牺牲层，在衬底的厚度方向上，形成于初始结构的周向表面的部分第二牺牲层的尺寸为第一尺寸，形成于相邻的初始结构之间的衬底一侧的第二牺牲层的尺寸为第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸；去除部分第三牺牲层和部分第二牺牲层，得到第二牺牲结构和第三牺牲结构；通过湿法刻蚀工艺去除第三牺牲结构。采用本方法可以保持掩膜结构表面形貌的完整性，提高后续制备工艺的制备质量。

本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体初始结构，其中，所述半导体初始结构包括衬底和于衬底一侧间隔排布的多个初始子结构，所述初始子结构包括栅极、掩膜结构和保护结构，所述掩膜结构位于所述栅极远离所述衬底的一侧，所述保护结构位于所述掩膜结构远离所述衬底的一侧；于所述初始子结构的侧壁形成第一牺牲结构；于所述第一牺牲结构远离所述衬底的一侧和所述第一牺牲结构的侧壁依次形成第二牺牲层和第三牺牲层，其中，形成于所述第一牺牲结构远离所述衬底一侧的部分所述第二牺牲层在所述衬底的厚度方向上的尺寸为第一尺寸，形成于相邻的所述初始子结构之间的衬底一侧的所述第二牺牲层在所述衬底的厚度方向上的尺寸为第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；依次去除部分所述第三牺牲层和部分所述第二牺牲层，以得到第二牺牲结构和第三牺牲结构，其中，所述第二牺牲结构位于所述第一牺牲结构与所述第三牺牲结构之间；通过湿法刻蚀工艺去除所述第三牺牲结构。

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