恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司朱小锋获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411766745.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制备方法是由朱小锋设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成第一介质层；于第一介质层内形成间隔分布的第一通孔；于第一通孔内形成牺牲层；于第一介质层的表面形成第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层上表面和裸露的牺牲层；于第二介质层内形成第二通孔，第二通孔暴露出牺牲层；去除牺牲层，以形成刻蚀通孔。本申请通过两步通孔形成刻蚀通孔，其意想不到的效果是防止了现有技术中由于高深宽比和刻蚀的微负载效应而出现的通孔底部没打开或者通孔内导线的电阻偏大的问题，确保通孔底部被完全打开，降低通孔内导线的电阻，避免形成寄生电容，以提高器件的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底的上表面形成第一介质层；于所述第一介质层内形成间隔分布的第一通孔；于所述第一通孔内形成牺牲层；去除部分所述第一介质层，使得所述牺牲层的上表面高于保留的所述第一介质层的上表面；于所述第一介质层的表面形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层上表面和裸露的所述牺牲层；于所述第二介质层内形成第二通孔，所述第二通孔暴露出所述牺牲层，所述第二通孔底部的宽度小于所述第一通孔顶部的宽度；去除所述牺牲层，以形成刻蚀通孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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