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龙图腾网恭喜南通康比电子有限公司申请的专利基于温度补偿的二极管性能优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119202467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411708773.5，技术领域涉及：G06F17/10；该发明授权基于温度补偿的二极管性能优化方法及系统是由徐柏林;石友玲设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于温度补偿的二极管性能优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了基于温度补偿的二极管性能优化方法及系统，涉及数据处理技术领域。所述方法包括：获取PIN型二极管的本征半导体层；设置多组温度检测样本，对本征半导体层进行检测，输出在不同温度下载流子基于正向状态的正向载流样本数据集，以及反向状态的反向载流样本数据集；根据多组温度检测样本、分别与正向载流样本数据集和反向载流样本数据集进行映射，输出温度‑正向性能影响层和温度‑反向性能影响层；建立温度响应函数，进行正反向状态的均衡寻优，输出温度响应结果；对PIN型二极管的温度进行温度补偿。解决了现有技术中二极管受不同温度影响导致性能稳定性降低的技术问题，达到了提高二极管性能稳定性的技术效果。

本发明授权基于温度补偿的二极管性能优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.基于温度补偿的二极管性能优化方法，其特征在于，所述方法包括：获取PIN型二极管的本征半导体层；设置多组温度检测样本，根据所述多组温度检测样本对所述本征半导体层进行检测，输出所述本征半导体层在不同温度下载流子基于正向状态的正向载流样本数据集，以及所述本征半导体层在不同温度下载流子反向状态的反向载流样本数据集；根据所述多组温度检测样本、分别与所述正向载流样本数据集和所述反向载流样本数据集进行映射，输出温度-正向性能影响层和温度-反向性能影响层；根据所述温度-正向性能影响层和温度-反向性能影响层，建立温度响应函数，根据所述温度响应函数进行正反向状态的均衡寻优，输出温度响应结果；根据所述温度响应结果对所述PIN型二极管的温度进行温度补偿；所述建立温度响应函数，方法还包括：确定所述本征半导体层的注入材料；以所述注入材料的离子特性和材料浓度，获取所述本征半导体层的属性-温度敏感指标；根据所述属性-温度敏感指标生成寻优反馈网络层；将所述寻优反馈网络层对所述温度响应函数进行函数反馈优化，得到优化后的温度响应函数；根据优化后的温度响应函数，输出优化后温度响应结果。

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