恭喜苏州晶歌半导体有限公司戴文武获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶歌半导体有限公司申请的专利氮化铝薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119162548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411686672.2，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权氮化铝薄膜及其制备方法是由戴文武;黄勇设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化铝薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化铝薄膜的制备方法，其包括：对蓝宝石衬底的表面进行预处理，以增加所述蓝宝石衬底的表面的氧空位浓度；在经预处理后的蓝宝石衬底的表面上沉积形成氮化铝薄膜。本发明还公开了一种利用该制备方法制备得到氮化铝薄膜。本发明通过对蓝宝石衬底进行预处理，使蓝宝石衬底表面的氧空位增加，氧空位的增加会提高Al离子电导率，降低Al离子在界面的迁移势垒，促进Al离子的横向迁移，使得AlN初期倾向于进行二维生长。因此，不仅可以避免原本三维生长导致的位错及应力，同时还减少了AlN覆盖蓝宝石PSS衬底的时间，提高了量产效率。
本发明授权氮化铝薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括：对蓝宝石衬底的表面进行预处理，以增加所述蓝宝石衬底的表面的氧空位浓度；在经预处理后的蓝宝石衬底的表面上沉积形成氮化铝薄膜；其中，所述对蓝宝石衬底的表面进行预处理的方法包括：采用金属有机物化学气相沉积工艺，将二价离子源和载气通入放置有蓝宝石衬底的反应室，并在预定反应室温度和预定反应室压力下对蓝宝石衬底的表面进行预处理，从而利用二价离子取代所述蓝宝石衬底的表面的铝离子，以增加所述蓝宝石衬底的表面的氧空位浓度；其中，所述二价离子包括镁离子、锡离子中的至少一种，所述预定反应室温度为1000℃~1200℃，所述预定反应室压力为140Torr~160Torr。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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