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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411640846.1，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；缓冲层依次包括第一AlN层、第二AlN层、第三AlN层、第一超晶格层、第一AlGaN层、第二超晶格层和第一GaN层；第一超晶格层包括交替层叠的第四AlN层和第二AlGaN层，第二超晶格层包括交替层叠的第三AlGaN层和第二GaN层；第三AlN层上形成延伸至第二超晶格层的第一V坑，第一超晶格层形成第二V坑，第二V坑被第一AlGaN层填平；第二超晶格层形成第三V坑，第一V坑、第三V坑被第一GaN层填平。实施本发明，可提升发光效率。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的第一AlN层、第二AlN层、第三AlN层、第一超晶格层、第一AlGaN层、第二超晶格层和第一GaN层；其中，所述第一超晶格层包括交替层叠的第四AlN层和第二AlGaN层，所述第二超晶格层包括交替层叠的第三AlGaN层和第二GaN层；其中，所述第三AlN层上形成有第一V坑，所述第一V坑延伸至所述第二超晶格层，并被所述第一GaN层填平；所述第一超晶格层还形成有第二V坑，所述第二V坑被所述第一AlGaN层填平；和所述第二超晶格层还形成有第三V坑，所述第三V坑被所述第一GaN层填平。

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