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龙图腾网恭喜中科芯集成电路有限公司申请的专利一种具有防抖功能的边沿延时电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119051634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411515998.9，技术领域涉及：H03K5/134；该发明授权一种具有防抖功能的边沿延时电路是由傅建军;张宗航;蒋和全设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有防抖功能的边沿延时电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种具有防抖功能的边沿延时电路。包括：PMOS管P1~P3、NMOS管N1~N3、充电电流产生电路、放电电流产生电路和反相器INV；信号输入端IN接入所述PMOS管P1、PMOS管P3、NMOS管N1和NMOS管N3的栅极，所述PMOS管P1、PMOS管P3、NMOS管N1和NMOS管N3的漏极接入反相器INV的输入端，所述反相器INV的输出端接入信号输出端OUT、以及PMOS管P2和NMOS管N2的栅极。本发明增加了一个正反馈的信号通路，在不影响其他性能的同时，可以增加延时电路的抗干扰能力。在需要高可靠时序控制的技术领域，具有广泛的应用前景。

本发明授权一种具有防抖功能的边沿延时电路在权利要求书中公布了：1.一种具有防抖功能的边沿延时电路，其特征在于，包括：PMOS管P1~P3、NMOS管N1~N3、充电电流产生电路、放电电流产生电路和反相器INV；其中信号输入端IN接入所述PMOS管P1、PMOS管P3、NMOS管N1和NMOS管N3的栅极，所述PMOS管P1、PMOS管P3、NMOS管N1和NMOS管N3的漏极接入反相器INV的输入端，所述反相器INV的输出端接入信号输出端OUT、以及PMOS管P2和NMOS管N2的栅极；所述PMOS管P2的源极接电源VCC，所述PMOS管P2的漏极接入PMOS管P1的源极；所述NMOS管N2的源极接地，所述NMOS管N2的漏极接入NMOS管N1的源极；所述充电电流产生电路的一端接入电源VCC，另一端接入PMOS管P3的源极；所述放电电流产生电路的一端接入NMOS管N3的源极，另一端接地；所述充电电流产生电路和放电电流产生电路构成充放电电路，所述充放电电路采用电流镜结构或电阻结构实现；当所述充放电电路采用电流镜结构时，所述充放电电路包括：PMOS管P4~P5、NMOS管N4~N6和参考电流源Iref；所述参考电流源Iref的一端接入电源VCC，另一端接入NMOS管N5的漏极以及NMOS管N4~N6的栅极；所述NMOS管N4~N6的源极均接地，所述NMOS管N4的漏极接入NMOS管N3的源极，NMOS管N6的漏极接入PMOS管P5的漏极和栅极、以及PMOS管P4的栅极；所述PMOS管P4~P5的源极接入电源VCC，所述PMOS管P4的漏极接入PMOS管P3的源极。

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