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龙图腾网恭喜中山大学;湖南炬神电子有限公司申请的专利具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119024050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411306936.7，技术领域涉及：G01R27/08；该发明授权具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置及方法是由刘扬;伍梓麟;赵智星;詹海峰;王自鑫设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子电路技术领域，提供具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置及方法，其装置包括：多应力动态特性表征电路模块和导通电阻表征模块；多应力动态特性表征电路模块连接导通电阻表征模块；多应力动态特性表征电路模块包括驱动信号控制电路、多应力调控电路和钳位测量电路；驱动信号控制电路连接多应力调控电路，多应力调控电路连接钳位测量电路。本发明通过配置多应力动态特性表征电路模块和导通电阻表征模块，对待测场效应晶体管施加多种单一的电学应力或混合电学应力，并观测其动态导通电阻的恢复过程，有助于深入研究影响动态导通电阻的物理机理，使得功率半导体场效应晶体管动态导通电阻的表征与研究更加准确与全面。

本发明授权具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置及方法在权利要求书中公布了：1.具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征方法，其特征在于，包括：多应力动态特性表征电路模块和导通电阻表征模块；多应力动态特性表征电路模块连接导通电阻表征模块；多应力动态特性表征电路模块包括驱动信号控制电路、多应力调控电路和钳位测量电路；驱动信号控制电路包括输出端A1、输出端A2和输出端A3，并与多应力调控电路连接；多应力调控电路连接钳位测量电路；驱动信号控制电路用于生成控制多应力调控电路的驱动信号；多应力调控电路用于根据驱动信号对待测场效应晶体管施加多种电应力；钳位测量电路用于测量待测场效应晶体管的源极与漏极之间的导通压降；多应力调控电路包括高压电源Vin、输入电容Cin、负载电阻RL、电流检测电阻Rs、限流保护电阻R1、负载电感L、续流二极管D1、开关晶体管S1、开关晶体管S2和待测场效应晶体管DUT；输入电容Cin的正极连接高压电源Vin的正极，输入电容Cin的负极连接高压电源Vin的负极；负载电阻RL的一端连接高压电源Vin的正极，负载电阻RL的另一端连接负载电感L的一端；续流二极管D1的阴极连接高压电源Vin的正极，续流二极管D1的阳极连接负载电感L的另一端；开关晶体管S1的漏极连接负载电感L的另一端，开关晶体管S1的源极连接待测场效应晶体管DUT的漏极；待测场效应晶体管DUT的源极连接电流检测电阻Rs的一端；电流检测电阻Rs的另一端接地连接；限流保护电阻R1的一端连接开关晶体管S1的源极，限流保护电阻R1的另一端连接开关晶体管S2的漏极，开关晶体管S2的源极接地连接；驱动信号控制电路生成驱动信号，将驱动信号通过输出端A1、输出端A2、输出端A3发送至多应力调控电路；多应力调控电路根据接收到的驱动信号，向待测场效应晶体管DUT施加电应力；电应力包括硬开关应力、关态漏极电压应力和半开态应力；电应力施加结束后，多应力调控电路根据接收到的驱动信号，控制待测场效应晶体管DUT不受电应力影响；具体为：保持开关晶体管S1关断，保持待测场效应晶体管DUT漏极电压为零，先打开待测场效应晶体管DUT，然后打开开关晶体管S1，使待测场效应晶体管DUT软开启；接着先关断开关晶体管S1，使电流下降为零，接着关断待测场效应晶体管DUT，使待测场效应晶体管DUT软关断，由开关晶体管S1承受高压；根据电流检测电阻Rs上的检测电流，以及采集待测场效应晶体管DUT源极和漏极之间的导通压降，计算得到导通电阻并进行表征。

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