苏州烯晶半导体科技有限公司赵昊辰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州烯晶半导体科技有限公司申请的专利一种场效应晶体管气压传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222800230U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421801201.7，技术领域涉及：G01L9/00；该实用新型一种场效应晶体管气压传感器是由赵昊辰设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场效应晶体管气压传感器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种场效应晶体管气压传感器，包括衬底层、碳纳米管层、在所述衬底层的一侧设置有碳纳米管层、源电极层、栅电极层、漏电极层以及氧化锌层，所述碳纳米管层背离所述衬底层的一侧设置有源电极层、栅电极层和漏电极层，所述栅电极层背离所述碳纳米管层的一侧通过EBL生长一层氧化锌层，所述氧化锌层被设置为传感器探针，用于探测待测对象，所述栅电极背离所述碳纳米管层的一侧设置有锯齿结构。本申请在FET器件的栅电极上通过EBL生长一层氧化锌层，可实现气压传感器的功能，由于氧化锌层材料的稳定型，以及独特的锯齿结构，使得气压传感器具备优良的灵敏度。
本实用新型一种场效应晶体管气压传感器在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管气压传感器，其特征在于，包括衬底层，在所述衬底层的一侧设置有碳纳米管层，所述碳纳米管层背离所述衬底层的一侧设置有源电极、栅电极和漏电极，所述栅电极背离所述碳纳米管层的一侧设置有氧化锌层，所述氧化锌层被设置为传感器探针，用于探测待测对象。
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