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龙图腾网恭喜盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司申请的专利CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411766043.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统是由邵福明;黄善发;禅明;张永刚;许存娥设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统在说明书摘要公布了：本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统，通过在各腔室单元的顶部设置匀气组件，且匀气组件的两个匀气盘分别与盖板密封连接，从而形成一级匀气室和二级匀气室，且一级匀气室且还设置有由消能锥体和消能围栏形成的消能组件，使得反应气体从进气口进入到腔体结构内部时，对带压气体进行降压消能，使其在一级匀气室进行充分混合，从而对反应气体进行消能，在消能的基础上将竖直喷出的气流紊流化均匀化，混匀消能后的反应气体经过第一释放孔均匀进入到第二匀气室进行进一步的混匀消能，并通过第二释放孔进入到腔室内均匀沉积在晶圆表面，有利于提升薄膜沉积的均匀性。

本发明授权CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统在权利要求书中公布了：1.一种CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，包括：反应腔体，所述反应腔体包括至少一个腔室单元；其中，所述腔室单元包括：腔体结构、匀气组件以及晶圆支撑平台，所述晶圆支撑平台设置在所述腔体结构内，所述匀气组件盖设在所述腔体结构上，以将所述腔体结构形成一密封反应空间；其中，所述匀气组件包括：盖板、第一匀气盘以及第二匀气盘，所述第一匀气盘的边缘与所述盖板的底面密封连接以形成一级匀气室，所述盖板中心设置有进气口，所述第一匀气盘的中心朝向所述盖板一侧设有消能锥组件，所述消能锥组件包括消能锥体和消能围栏，所述消能锥体朝向所述进气口的一端凸起形成锥形结构，所述消能围栏设置在所述消能锥体的外围；所述第一匀气盘的底部均匀设置有多个第一释放孔；所述第二匀气盘将整个所述第一匀气盘包围，且所述第二匀气盘的边缘与所述盖板的底面密封连接以形成二级匀气室，所述第二匀气盘的底部均匀设置有多个第二释放孔，所述第二释放孔正对着所述晶圆支撑平台；进气主管，所述进气主管的一端与反应气源连接，所述进气主管的另一端分别通过进气支管与各所述匀气组件的进气口连接，所述进气支管上分别设置有进气阀门。

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