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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利功率器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866811B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410745692.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权功率器件及其形成方法是由郭德霄设计研发完成，并于2024-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率器件及其形成方法，先对第一介质层进行部分厚度的刻蚀，在相邻的第一电极层之间形成至少一个鳍状结构；通过第二等离子体增强化学气相沉积工艺形成第二介质层，第二介质层覆盖第二沟槽的内表面并延伸覆盖鳍状结构以及剩余的第一介质层的表面，第二介质层的击穿电压大于第一介质层的击穿电压，可以提高相邻的第一电极层之间的耐压性；通过第三等离子体增强化学气相沉积工艺形成第三介质层，使得第三介质层具有良好的台阶覆盖填充性，由此可以实现无孔洞填充；并且由于第二介质层的击穿电压大于第一介质层的击穿电压，可以提高相邻的互连插塞之间的耐压性，从而可以提高相邻的互连插塞之间的耐压性。

本发明授权功率器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有至少两个间隔设置的第一电极层，相邻的两个所述第一电极层之间具有第一沟槽；通过第一等离子体增强化学气相沉积工艺形成第一介质层，所述第一介质层填满所述第一沟槽并延伸覆盖所有所述第一电极层，所述第一等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括正硅酸乙酯；对所述第一介质层进行部分厚度的刻蚀，以在相邻的所述第一电极层之间形成至少一个鳍状结构，所述鳍状结构两侧的所述第一介质层中具有第二沟槽；通过第二等离子体增强化学气相沉积工艺形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第二沟槽的内表面并延伸覆盖所述鳍状结构的表面以及剩余的所述第一介质层的表面，且所述第二介质层的击穿电压大于所述第一介质层的击穿电压，其中，所述第二等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括硅烷；通过第三等离子体增强化学气相沉积工艺形成第三介质层，所述第三介质层填满所述第二沟槽并覆盖所述第一电极层上的所述第二介质层，其中，所述第三等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括所述正硅酸乙酯；在每个所述第一电极层上形成互连插塞，所述互连插塞贯穿所述第一电极层上的所述第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层并与所述第一电极层电性连接。

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