台湾积体电路制造股份有限公司邓运桢获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222814763U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421229786.X，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置是由邓运桢;陈思颖;陈永君;薛森鸿;徐志安设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括半导体基板、第一鳍部、第二鳍部及浅沟槽隔离区。第一鳍部设置于半导体基板上。第二鳍部设置于半导体基板上且与第一鳍部以一距离相邻。浅沟槽隔离区设置于第一鳍部及第二鳍部之间，且浅沟槽隔离区包括第一介电层及第二介电层。第一介电层设置于第一鳍部与第二鳍部的多个顶表面及多个侧壁上方，并位于第一鳍部与第二鳍部之间的半导体基板的顶表面上。第二介电层设置于第一介电层上方。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板；一第一鳍部，设置于该半导体基板上；一第二鳍部，设置于该半导体基板上，且与该第一鳍部以一距离相邻；以及一浅沟槽隔离区，设置于该第一鳍部及该第二鳍部之间，且该浅沟槽隔离区包括：一第一介电层，设置于该第一鳍部与该第二鳍部的多个顶表面及多个侧壁上方，并位于该第一鳍部与该第二鳍部之间的该半导体基板的顶表面上；以及一第二介电层，设置于该第一介电层上方。
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