中山市木林森电子有限公司皮保清获国家专利权
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龙图腾网获悉中山市木林森电子有限公司申请的专利一种能发蓝绿光的LED芯片的结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222814789U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421217171.5，技术领域涉及：H10H20/812；该实用新型一种能发蓝绿光的LED芯片的结构是由皮保清;王洪贯设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种能发蓝绿光的LED芯片的结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及LED芯片技术，提供了一种能发蓝绿光的LED芯片的结构，包括衬底，所述衬底的作用是作为LED芯片器件生长的基础平台和物理支撑平台，所述衬底的顶面设置有多量子阱层，所述多量子阱层包括若干的蓝光多量子阱层以及若干的绿光多量子阱层，所述多量子阱层的上方设置有P型GaN层，所述多量子阱层的下方设置有N型GaN层，所述N型GaN层的作用是提供电子，所述P型GaN层的作用是提供空穴,所述P型GaN层与N型GaN层共同形成一个P‑N结。运用本实用新型，多量子阱层中设置有蓝光多量子阱层和绿光多量子阱层，实现了蓝绿光的有效发射波长覆盖，拓宽了LED芯片色域覆盖范围，这增强了色彩表现力。
本实用新型一种能发蓝绿光的LED芯片的结构在权利要求书中公布了：1.一种能发蓝绿光的LED芯片的结构，其特征在于，包括衬底（1），所述衬底（1）的作用是作为LED芯片器件生长的基础平台和物理支撑平台，所述衬底（1）的顶面设置有多量子阱层（5），所述多量子阱层（5）包括若干的蓝光多量子阱层（51）以及若干的绿光多量子阱层（52），所述多量子阱层（5）的上方设置有P型GaN层（6），所述多量子阱层（5）的下方设置有N型GaN层（4），所述N型GaN层（4）的作用是提供电子，所述P型GaN层（6）的作用是提供空穴,所述P型GaN层（6）与N型GaN层（4）共同形成一个P-N结；所述多量子阱层（5）的总层数至少为2层，包含一层蓝光多量子阱层（51）和一层绿光多量子阱层（52）。
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