浙江创芯集成电路有限公司周鲁豪获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118248628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410678265.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由周鲁豪;吴永玉;陶然;王江红;陆佳倩;王青青设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质结构，所述介质结构包括介质层；在所述介质结构内形成开口；在所述开口内和所述介质结构表面形成金属材料层；采用第一机械化学研磨工艺平坦化所述金属材料层，直到暴露出所述介质结构表面，以所述金属材料层形成初始导电结构，所述初始导电结构表面具有蝶形缺陷，所述蝶形缺陷使所述初始导电结构表面中心相对边缘凹陷；采用刻蚀工艺刻蚀所述介质结构表面，使所述初始导电结构表面边缘凸出于所述介质结构表面；在所述刻蚀工艺之后，采用第二机械化学研磨工艺平坦化所述初始导电结构和所述介质结构，以所述初始导电结构形成导电结构，利于提高形成的导电结构的表面平整度，减少因蝶形缺陷而导致电路失效的异常概率，提高产品良率。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质结构，所述介质结构包括介质层和保护层，所述保护层位于所述介质层表面；在所述介质结构内形成开口；在所述开口内和所述介质结构表面形成金属材料层；采用第一机械化学研磨工艺平坦化所述金属材料层，直到暴露出所述介质结构表面，以所述金属材料层形成初始导电结构，所述初始导电结构表面具有蝶形缺陷，所述蝶形缺陷使所述初始导电结构表面中心相对边缘凹陷，所述蝶形缺陷具有第一深度；采用刻蚀工艺刻蚀所述介质结构表面部分厚度的保护层，使所述初始导电结构表面边缘凸出于所述介质结构表面，所述刻蚀工艺对所述介质结构的减薄量为第一厚度，所述第一厚度根据所述第一深度确定；在所述刻蚀工艺之后，采用第二机械化学研磨工艺平坦化所述初始导电结构和所述介质结构，以形成导电结构并露出所述介质层。
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