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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118522706B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410651682.6，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权功率半导体器件及其制作方法是由魏晓光;唐新灵;王亮;林仲康;代安琪;石浩;杜玉杰;韩荣刚;张红丹设计研发完成，并于2024-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。

本发明授权功率半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：晶圆；金属电极；热界面材料层，所述热界面材料层设置在所述金属电极和所述晶圆之间，所述金属电极和所述晶圆通过所述热界面材料层连接，所述热界面材料层和所述金属电极的接触界面形成连续相结构，所述热界面材料层和所述晶圆的接触界面形成连续相结构；所述热界面材料层包括：第一连接层，所述第一连接层的一侧与所述金属电极连接；骨架层，所述骨架层与所述第一连接层远离所述金属电极的一侧连接，所述骨架层和所述第一连接层的接触界面形成连续相结构；第二连接层，所述第二连接层与所述骨架层远离所述第一连接层的一侧连接，所述第二连接层和所述骨架层的接触界面形成连续相结构，所述第二连接层远离所述骨架层的一侧与所述晶圆连接；所述第一连接层包括第一金属，所述第二连接层包括第二金属；所述骨架层包括第三金属或第四金属或第三金属与第四金属的混合物，所述第三金属或所述第四金属或所述第三金属与第四金属的混合物在所述骨架层中形成孔隙；所述第一金属与所述第二金属材料相同或不同，包括银或铜中的至少一种或银或铜的复合金属材料；所述第三金属包括钯、铜或金中的至少一种，或钯、铜或金的复合金属材料；所述第四金属包括钯、铜或金中的至少一种，或钯、铜或金的复合金属材料。

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