天合光能股份有限公司王爽获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利晶硅电池的制作方法及晶硅电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410577858.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权晶硅电池的制作方法及晶硅电池是由王爽;冯德魁;丁留伟;刘成法设计研发完成，并于2024-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶硅电池的制作方法及晶硅电池在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶硅电池的制作方法及晶硅电池，属于电池技术领域。所述晶硅电池的制作方法包括：提供基底，位于所述基底背面的隧穿氧化层，以及位于所述隧穿氧化层背离所述基底一侧的多晶硅层；对所述多晶硅层进行加氢处理，在所述多晶硅层背离所述隧穿氧化层的一侧形成减反射结构。本申请能够提高电池的钝化效果，提高电池的开路电压和短路电流。
本发明授权晶硅电池的制作方法及晶硅电池在权利要求书中公布了：1.一种晶硅电池的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，位于所述基底背面的隧穿氧化层，以及位于所述隧穿氧化层背离所述基底一侧的多晶硅层；对所述多晶硅层进行加氢处理，在所述多晶硅层背离所述隧穿氧化层的一侧形成减反射结构；在所述对所述多晶硅层进行加氢处理，在所述多晶硅层背离所述隧穿氧化层的一侧形成减反射结构之前，所述方法还包括：采用氨气，对所述多晶硅层进行等离子体刻蚀，以减薄所述多晶硅层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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