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龙图腾网恭喜上海精测半导体技术有限公司申请的专利光斑调节方法及膜厚量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115289985B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210957287.1，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权光斑调节方法及膜厚量测方法是由陈煜杰;董诗浩;李仲禹设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本光斑调节方法及膜厚量测方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光斑调节方法及膜厚量测方法。该光斑调节方法通过成像系统获取激发光光斑和探测光光斑的图像，基于图像计算激发光光斑质心和探测光光斑质心之间的相对位置，根据成像系统获取的相对位置对探测光路及\或激发光路的偏摆镜的姿态进行第一调节，并通过理论极大值LIAmax对探测光路及\或激发光路的偏摆镜的姿态进行第一调节，使得激发光光斑质心和探测光光斑质心重合，可以获得最大强度的信号。将此应用于光声测量系统中，通过精确调整探测光光斑和激发光光斑的相对位置，使得探测光的反射率提升，能够准确的获取声波连续两次回传至样品表面时的时间间隔，提高探测精度和探测稳定性，提升膜厚计算的准确度。

本发明授权光斑调节方法及膜厚量测方法在权利要求书中公布了：1.一种光斑调节方法，其特征在于，包括：基于光源模块生成激发光和探测光，所述激发光用于在待测样品中产生声波，所述声波经所述待测样品中的界面回传至所述待测样品表面，待测样品表面形成形变区域，所述探测光照射至所述形变区域形成强度变化的反射信号光；通过成像系统获取所述激发光和所述探测光在所述待测样品表面分别形成的激发光光斑和探测光光斑的图像，基于所述图像获取所述激发光光斑质心的位置和所述探测光光斑质心之间的距离；通过获取的所述距离对位于探测光路及\或激发光路的偏摆镜的姿态进行第一调节，以使所述激发光光斑质心的位置和所述探测光光斑质心之间的距离小于预设阈值；获取所述信号光光强的理论极大值，并依据所述理论极大值对所述探测光路及\或激发光路的偏摆镜的姿态进行第二调节，使得所述激发光光斑质心和所述探测光光斑质心重合。

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