恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111106095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811270426.3，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器，电容器的制造方法包括：提供初始结构，所述初始结构包括衬底层、位于所述衬底层上的绝缘层和存储节点接触塞、以及第一支撑结构层；刻蚀所述第一支撑结构层形成第一孔；在所述第一孔中形成牺牲层；在所述第一支撑结构层和所述牺牲层表面形成第二支撑结构层；刻蚀所述第二支撑结构层形成第二孔，所述牺牲层暴露于所述第二孔；去除所述牺牲层；以及依次沉积下电极层、电介质层、上电极层，形成所述电容器。本发明一实施方式的方法，通过牺牲层的设置、去除，能够降低高深宽比结构的刻蚀难度，解决由于刻蚀不足导致下接触点面积变小产生的高电阻阻抗甚至断路的问题。
本发明授权沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器在权利要求书中公布了：1.一种沟槽的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上设置有第一介质层；刻蚀所述第一介质层形成第一孔；在所述第一孔中形成牺牲层；在所述第一介质层和所述牺牲层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层形成第二孔，所述牺牲层暴露于所述第二孔；以及去除所述牺牲层，所述第一孔和所述第二孔相连通形成所述沟槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号