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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111769038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010517239.1，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物是由大卫·查尔斯·史密斯;理查德·怀斯;阿潘·马霍罗瓦拉;帕特里克·A·范克利蒙布特;巴特·J·范施拉芬迪克设计研发完成，并于2017-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物。在半导体器件制造中使用薄氧化锡膜作为间隔物。在一个实现方式中，薄氧化锡膜被共形沉积到具有第一材料例如，氧化硅或氮化硅的暴露层和包括第二材料例如硅或碳的多个突出特征的半导体衬底上。例如，可以使用原子层沉积来沉积10‑100nm厚的氧化锡层。然后，氧化锡膜被从水平表面去除，而不被从突出特征的侧壁完全去除。接下来，突出特征的材料被蚀刻掉，从而在衬底上留下氧化锡间隔物。之后，蚀刻第一材料的未保护部分，而不去除间隔物。接下来，蚀刻下层，并且去除间隔物。含锡颗粒可以通过将其转化成挥发性氢化锡而从处理室中去除。

本发明授权半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物在权利要求书中公布了：1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：a提供半导体衬底，所述半导体衬底具有包括第一材料的暴露层和包括与所述第一材料不同的第二材料的至少一个突出特征；以及b在所述第一材料和所述第二材料两者上沉积SnO2层，包括在所述至少一个突出特征的侧壁上沉积所述SnO2层，其中所述第一材料和所述第二材料被选择为使得对于第一蚀刻化学过程所述第一材料的蚀刻速率与SnO2的蚀刻速率的比率大于1，并且对于第二蚀刻化学过程所述第二材料的蚀刻速率与SnO2的蚀刻速率的比率大于1，并且其中所述沉积包括将所述半导体衬底的所述第一材料和所述第二材料暴露于含锡前体和含氧前体；c在沉积所述SnO2层之后，从所述半导体衬底的水平表面完全去除所述SnO2层，而不完全去除覆盖所述至少一个突出特征的所述侧壁的所述SnO2层；以及d在从所述半导体衬底的水平表面去除所述SnO2层之后，使用所述第二蚀刻化学过程完全去除所述至少一个突出特征，而不完全去除覆盖所述至少一个突出特征的所述侧壁的所述SnO2层，从而形成SnO2间隔物。

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