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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010781138.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置是由班亚·翁森纳库姆;彼得·科洛托夫设计研发完成，并于2017-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置在说明书摘要公布了：本发明涉及用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置。提供了一种半导体处理室，其可以包括：延伸穿过室壁并具有限定开口的内通道表面的晶片传送通道，包括限定插入件开口的插入件内表面的插入件，以及气体入口。所述晶片传送通道的至少部分地围绕所述内通道表面延伸并从所述内通道表面向外偏移的第一凹陷表面、至少部分地围绕所述插入件内表面延伸并从所述插入件内表面向外偏移的第一插入件外表面、以及在所述内通道表面和所述第一凹陷表面之间延伸的第一壁表面至少部分地限定流体连接到气体入口的气体分配通道，所述第一凹陷表面与所述第一插入件外表面分开第一距离，并且插入件前表面面向所述第一壁表面并与所述第一壁表面分开第一间隙距离。

本发明授权用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理室，其包括：室壁，其至少部分地界定所述半导体处理室；气体入口；晶片传送通道，其沿着第一轴线延伸穿过所述室壁，以及包含：内通道表面，其限定垂直于所述第一轴线的开口，第一凹陷表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第一凹陷表面至少部分地围绕所述内通道表面延伸以及从所述内通道表面向外偏移，以及在所述内通道表面和所述第一凹陷表面之间延伸的第一壁表面；以及插入件，其包含：插入件内表面，其限定垂直于所述第一轴线的插入件开口，第一插入件外表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第一插入件外表面至少部分地围绕所述插入件内表面延伸以及从所述插入件内表面向外偏移，以及在所述插入件内表面和所述第一插入件外表面之间延伸的插入件前表面，其中：所述插入件的至少部分插入到所述晶片传送通道中,所述第一凹陷表面、所述第一插入件外表面和所述第一壁表面至少部分地限定气体分配通道，所述气体分配通道流体连接到所述气体入口，所述第一凹陷表面从所述第一插入件外表面向外偏移，所述插入件前表面沿所述第一轴线从所述第一壁表面偏移，所述插入件前表面被定向成以下之一：相对于所述第一轴线成第一倾斜角，或垂直于所述第一轴线；以及所述第一壁表面被定向成以下之一：与所述第一轴线成第二倾斜角，或垂直于所述第一轴线。

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