恭喜横店集团东磁股份有限公司吴成坤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510138252.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法是由吴成坤;任勇;陈德爽设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法。本发明借助紫外激光氧化工艺以及通过巧妙合理的步骤设计，可使硅片基底在碱清洗或碱洗制绒过程中免受碱腐蚀，从而确保隔离区表面的p区、隔离区和n区高度齐平且为抛光面结构，有利于提升电池性能，提高产品良率。
本发明授权一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法，其特征在于包括：S1、硅片双面抛光；S2、紫外激光氧化硅片背面预设n区和隔离区形成氧化层；S3、背面一次沉积隧穿SiOx层、i-poly-Si层；S4、硼扩散，使i-poly-Si层的内层、表层分别转为硼扩散层和BSG层；S5、激光去除预设n区和隔离区的BSG层；S6、碱清洗去除预设n区和隔离区的硼扩散层、隧穿SiOx层；酸洗去除氧化层；S7、紫外激光氧化预设隔离区硅表面，形成氧化层；S8、背面二次沉积隧穿SiOx层、i-poly-Si层；S9、磷扩散，使i-poly-Si层的内层、表层分别转为磷扩散层和PSG层；S10、激光去除预设p区和隔离区的PSG层；S11、去除硅片正面和侧面的绕镀层；S12、碱洗制绒去除预设p区和隔离区的磷扩散层、隧穿SiOx层，并在硅片正面形成金字塔绒面，酸洗去除残留PSG层、BSG层和氧化层；S13、双面沉积钝化减反膜；S14、丝网印刷、烧结、光注入。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人横店集团东磁股份有限公司，其通讯地址为：322100 浙江省金华市东阳市横店镇华夏大道233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号