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龙图腾网恭喜兰州大学申请的专利钴纳米互连线及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510122964.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权钴纳米互连线及其制备方法是由秦勇;赵卿;温娟;徐奇;刘书海;赵继领设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本钴纳米互连线及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种钴纳米互连线及其制备方法，属于集成电路领域。本申请通过在双通PC膜一侧磁控溅射沉积Au层，在Au层上电沉积Cu层，在双通PC膜的孔道内电沉积钴纳米互连线，将Au层从双通PC膜上剥离，溶解双通PC膜并离心分离，得到钴纳米互连线。本申请通过磁控溅射和电沉积技术相结合，可实现钴纳米互连线的可控生长，与目前芯片互连工艺具有较高的兼容性；通过控制电沉积工艺参数，可以对钴纳米互连线进行织构和长径比的调控。该方法步骤简单，易于实现工业化生产，降低生产成本，制备出的钴纳米互连线在芯片互连等领域具有广泛的应用潜力。

本发明授权钴纳米互连线及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钴纳米互连线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在双通PC膜一侧磁控溅射沉积Au层；S2.在所述Au层上电沉积Cu层；所述电沉积Cu层的方法为：将Cu电沉积液注入电沉积槽一侧，以Cu棒为阳极，饱和甘汞电极为参比电极，步骤S1得到的所述Au层为沉积阴极，进行电沉积Cu层；S3.在所述双通PC膜的孔道内电沉积钴纳米互连线，所述钴纳米互连线与所述Au层连接；所述电沉积钴纳米互连线的方法为：将钴电沉积液注入电沉积槽一侧，调节所述钴电沉积液的pH值至预定范围，以钴棒为阳极，饱和甘汞电极为参比电极，步骤S1得到的所述Au层为沉积阴极，进行电沉积钴纳米互连线；所述钴电沉积液的pH值为2~5.5；当pH=2时，所述钴纳米互连线的织构是[110]；当2pH3.5时，所述钴纳米互连线的织构是[100]和[110]；当3.5≤pH≤5.5时，所述钴纳米互连线的织构是[100]；S4.将所述Au层从所述双通PC膜上剥离，使所述钴纳米互连线与所述Au层分离；S5.将剥离Au层后的双通PC膜置于有机溶剂中溶解，其后进行离心分离，得到钴纳米互连线。

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