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龙图腾网恭喜IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学申请的专利金属-有机骨架的选择性沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109950129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811337751.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权金属-有机骨架的选择性沉积是由M·克里斯塔布;S·阿米尼;I·斯塔森;R·阿姆洛特设计研发完成，并于2018-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属-有机骨架的选择性沉积在说明书摘要公布了：一种用于在基材10中的外露介电位置130上选择性地形成低k介电膜140的方法200，所述方法200包括：利用区域选择性沉积法使用一个或更多个沉积循环在所述外露介电位置130上选择性地沉积210含金属膜110；向沉积的含金属膜110至少提供220一次至少一种有机配体的蒸气而导致气相化学反应，从而得到金属‑有机骨架140，所述金属‑有机骨架140是低k介电膜140，其中，所述低k介电膜140在未沉积含金属膜的位置处具有间隙142。

本发明授权金属-有机骨架的选择性沉积在权利要求书中公布了：1.一种用于形成包含互连器的基材结构100的方法200，所述方法200包括：-提供包含外露介电位置130和位于所述外露介电位置130之间的金属触体120的基材10；-利用区域选择性沉积法使用一个或更多个沉积循环在所述外露介电位置130上选择性地沉积210含金属膜110；-向沉积的含金属膜110至少提供220一次至少一种有机配体的蒸气而导致气相化学反应，从而得到低k介电膜140，其中，所述低k介电膜140在未沉积含金属膜的位置处具有间隙142；-在所述低k介电膜140以及位于介电位置130之间的金属触体120上施涂230蚀刻终止层150；-在所述蚀刻终止层150上沉积240间隙填充低k电介质160，以使所述间隙填充低k电介质160填充所述低k介电膜中的间隙142；-利用硬质掩模170覆盖250所述间隙填充低k电介质160；-对所述硬质掩模170、所述间隙填充低k电介质160和所述蚀刻终止层150进行图案化260，以形成至少一个朝向所述金属触体120的开口；-施涂270金属化层，形成至少一个与所述金属触体接触的通道180。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学，其通讯地址为：比利时勒芬；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。