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龙图腾网获悉成都先进功率半导体股份有限公司申请的专利一种半导体引线框架及封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222838852U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421434447.5，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型一种半导体引线框架及封装结构是由张明聪;韩深;肖季设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体引线框架及封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体引线框架及封装结构，本实用新型通过将与芯片焊接区一体连接的引脚（即漏极引脚）移至其余引脚的相对侧布置，增加了引脚间的爬电距离，利于适应更高的电压领域，而且还可通过将引脚和散热面设置在不同侧位置以及加宽漏极的引脚宽度的方式提升散热性能。

本实用新型一种半导体引线框架及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体引线框架，包括框架本体（1），所述框架本体（1）设有多个引线框单元（2），所述引线框单元（2）成排成列设置，所述引线框单元（2）包括芯片焊接区（21）和若干个引脚，其特征在于，若干个所述引脚布置于所述芯片焊接区（21）的相对两侧，其中一侧的所述引脚与所述芯片焊接区（21）一体连接、另一侧引脚与所述芯片焊接区（21）相互隔离设置；所述引脚包括第一引脚（22）、第二引脚（23）、第三引脚（24）和第四引脚（25），所述第一引脚（22）和所述第二引脚（23）位于所述芯片焊接区（21）的同一侧，即作为A侧，所述第一引脚（22）和所述第二引脚（23）均与所述芯片焊接区（21）相互隔离设置；所述第三引脚（24）和所述第四引脚（25）位于所述芯片焊接区（21）的同一侧，即作为B侧，所述A侧和所述B侧为所述芯片焊接区（21）的相对两侧，所述第三引脚（24）和所述第四引脚（25）分别与所述芯片焊接区（21）一体连接；所述芯片焊接区（21）沿所述B侧所在方向一体延伸伸出以形成顶部散热区（26），所述第三引脚（24）和所述第四引脚（25）分别与所述顶部散热区（26）一体连接；所述顶部散热区（26）处设有第一限位孔（27），所述第一限位孔（27）的中心线位于包封线位置，所述第一限位孔（27）位于所述第三引脚（24）和所述第四引脚（25）之间。

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