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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种出光增强型反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410799333.9，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种出光增强型反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法是由吴向龙;闫宝华;王成新设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种出光增强型反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种出光增强型反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法，属于光电子技术领域，本发明通过对光刻胶的厚度及坚膜温度及ICP刻蚀条件进行优化调整，在刻蚀过程中实现发光区外扩，通过后续AlGaInP粗化实现亮度提升，该方法只需要AlGaInP粗化和分段刻蚀即可实现三种工艺的效果，大幅减少工艺流程，提升生产效率，降低成本。

本发明授权一种出光增强型反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种出光增强型反极性AlGaInP发光二极管的制备方法，其特征在于，出光增强型反极性AlGaInP发光二极管由下自上依次包括永久衬底欧姆接触电极、永久衬底、反射镜、介质膜、P型欧姆接触层、P-GaP欧姆接触层、P-AlGaInP电流扩展层、P-AlInP限制层、MQW多量子阱层、N-AIInP限制层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlGaInP粗化层、N-GaAs欧姆接触层和N面电极；出光增强型反极性AlGaInP发光二极管的制备方法，包括如下步骤：（1）采用MOCVD方法，在n-GaAs临时衬底上依次生长N-GaAs缓冲层、N-GalnP阻挡层、N-GaAs欧姆接触层、N-AlGaInP粗化层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlInP限制层、MQW多量子阱层、P-AlInP限制层、P-AlGaInP电流扩展层和P-GaP欧姆接触层；（2）在步骤（1）外延片的P-GaP欧姆接触层上沉积介质层，然后经过光刻、蒸镀、腐蚀、剥离处理后，形成P型欧姆接触层；（3）在步骤（2）所得晶圆的表面蒸镀反射镜；（4）将步骤（3）所得晶圆与永久衬底进行键合；（5）去除键合后晶圆的n-GaAs临时衬底和N-GaInP阻挡层；（6）腐蚀掉电极以外区域的N-GaAs欧姆接触层；（7）在步骤（6）保留的N-GaAs欧姆接触层上蒸镀N面电极，并通过合金工艺形成欧姆接触；（8）将步骤（7）所得晶圆进行光刻切割道图形，坚膜后使用ICP刻蚀形成切割道，刻蚀过程中实现发光区外扩；（9）将步骤（8）所得晶圆进行AlGaInP粗化；（10）将永久衬底减薄，然后蒸镀欧姆接触金属并合金，形成永久衬底欧姆接触电极；（11）采用激光划片或金刚刀切割方式得到发光二极管；步骤（8）中，光刻胶的厚度为3.5-4.5um，坚膜温度为80-100℃，坚膜时间10-20min。

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