台湾积体电路制造股份有限公司许胜福获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222840007U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421410249.5，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型半导体装置是由许胜福;陈世范;李陈毅;陈品辰;黄麟淯设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例是关于一种半导体装置，所述半导体装置可以包括静电放电ESD保护电路及高电压ESD触发电路，高电压ESD触发电路被配置来为半导体装置的高电压电路触发ESD保护。高电压ESD触发电路可以通过本文描述的高电压ESD触发电路的示例性实施方式中的一者或多者来实施。本文描述的高电压ESD触发电路的示例性实施方式能够处理半导体装置中包括的高电压电路的高电压。此降低了在这些高电压电路的正常操作期间过早触发ESD保护的可能性及或防止过早触发ESD保护，且使得高电压电路能够受到保护而免于高电压ESD事件的影响。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：装置电路；静电放电电路，与所述装置电路耦接；以及静电放电触发电路，与所述静电放电电路及所述装置电路耦接，包括：基底；PNP静电放电触发装置，在所述基底中，包括：n型掺杂基极；p型掺杂集电极，其中所述基底的第一部分位于所述n型掺杂基极的第一n型掺杂阱与所述p型掺杂集电极的p型掺杂阱之间；以及p型掺杂射极，其中所述基底的第二部分位于所述p型掺杂集电极的所述p型掺杂阱与所述p型掺杂射极的第二n型掺杂阱之间；以及多个n型掺杂阻障区，在所述基底中，包括：第一n型掺杂阻障区，位于所述n型掺杂基极的所述第一n型掺杂阱之下；以及第二n型掺杂阻障区，位于所述p型掺杂射极的所述第二n型掺杂阱之下，其中所述基底的第三部分位于所述第一n型掺杂阻障区与所述第二n型掺杂阻障区之间。
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