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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利一种半导体功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118507349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410570075.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体功率器件及其制备方法是由高远;李倩;刘红超设计研发完成，并于2024-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件的制备方法包括：提供衬底；在衬底的第一面形成半导体外延层；在半导体外延层远离衬底的一侧形成栅极结构层，并在栅极结构层中形成暴露部分第一导电类型重掺杂区的开口；在栅极结构层远离衬底的一侧形成第一支撑层，基于第一支撑层对衬底进行减薄处理；在衬底的第二面形成第二支撑层，基于第二支撑层对第一支撑层进行减薄处理或者去除处理；其中，第二支撑层的电阻率低于衬底的电阻率；形成暴露部分的第一导电类型重掺杂区的接触孔，并在接触孔中形成第一电极。本发明提供的技术方案，降低了半导体功率器件的导通电阻。

本发明授权一种半导体功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底包括相对的第一面和第二面；在所述衬底的第一面形成半导体外延层；其中，所述半导体外延层包括依次远离所述衬底的第一导电类型第一掺杂区、第二导电类型掺杂区和第一导电类型第二掺杂区；且所述第二导电类型掺杂区包覆所述第一导电类型第二掺杂区的底部和侧壁，所述第一导电类型第一掺杂区包覆所述第二导电类型掺杂区的底部和侧壁；在所述半导体外延层远离所述衬底的一侧形成栅极结构层，并在所述栅极结构层中形成暴露部分所述第一导电类型第二掺杂区的开口；在所述栅极结构层远离所述衬底的一侧形成第一支撑层；基于所述第一支撑层对所述半导体外延层的支撑保护，对所述衬底进行减薄处理，使得所述衬底达到预设厚度；在所述衬底的第二面形成第二支撑层；其中，所述第二支撑层的电阻率低于所述衬底的电阻率，所述预设厚度的衬底与所述第二支撑层用于构成目标衬底；基于所述第二支撑层对所述半导体外延层的支撑保护，对所述第一支撑层进行减薄处理或者去除处理；形成暴露部分的所述第一导电类型第二掺杂区的接触孔，并在所述接触孔中形成第一电极；在所述栅极结构层远离所述衬底的一侧形成第一支撑层，包括：通过沉积工艺在在所述栅极结构层远离所述衬底的一侧的表面以及所述开口中形成第一支撑层；在对所述第一支撑层进行减薄处理的情况下，形成暴露部分的所述第一导电类型第二掺杂区的接触孔，包括：在减薄后的所述第一支撑层中形成暴露部分所述第一导电类型第二掺杂区的接触孔；所述第一支撑层用于作为隔离所述第一电极与所述栅极结构的层间绝缘层；所述半导体功率器件为SiC功率器件；所述衬底与所述第一导电类型第一掺杂区的掺杂类型相同，且所述衬底的离子掺杂浓度大于所述第一导电类型第一掺杂区的离子掺杂浓度，所述衬底还用于作为缓冲层。

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