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龙图腾网恭喜珠海广浩捷科技股份有限公司申请的专利一种双层高速分选下料装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222830163U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420639607.3，技术领域涉及：B07C5/36；该实用新型一种双层高速分选下料装置是由李少峰;仪忠平;谢永良设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双层高速分选下料装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种双层高速分选下料装置，包括主流线、多个吸附横移流线、多个上层硅片横移流线、多个上层分选横移流线、多个下层硅片横移流线、多个下层分选横移流线和多个料盒机构，不同质量等级的硅片通过吸附横移流线进行直流传送到上层硅片横移流线或者下层硅片横移流线的位置上，再通过上层硅片横移流线或者下层硅片横移流线对硅片进行吸附并传送至上层分选横移流线或下层硅片横移流线，并通过上层分选横移流线或下层分选横移流线传送至对应的料盒机构的上层料盒或者下层料盒，实现双层分选，料盒接收硅片只需上层分选横移流线或下层分选横移流线传送即可，料盒接收动作结构形式简单化，有利于从料盒批量自动化下料的扩展。

本实用新型一种双层高速分选下料装置在权利要求书中公布了：1.一种双层高速分选下料装置，其特征在于：包括主流线1、多个吸附横移流线2、多个上层硅片横移流线3、多个上层分选横移流线4、多个下层硅片横移流线5、多个下层分选横移流线6和多个料盒机构7，所述吸附横移流线2位于所述主流线1的正上方，多个所述上层硅片横移流线3分别安装在所述主流线1的两侧，且所述上层硅片横移流线3的进料端与所述吸附横移流线2的两个出料端平齐；所述上层分选横移流线4的进料端位于所述上层硅片横移流线3的出料端的正下方；多个所述下层硅片横移流线5分别安装在所述主流线1的两侧，且所述下层硅片横移流线5的进料端位于所述吸附横移流线2的出料端的正下方；所述下层分选横移流线6的进料端与所述下层硅片横移流线5的出料端连接；多个所述料盒机构7分别安装在所述主流线1的两侧，且所述料盒机构7位于所述上层分选横移流线4的出料端以及所述下层分选横移流线6的出料端的一侧。

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