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龙图腾网恭喜拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117524930B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311475240.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统和方法是由陶中博;张亚新;杨萌;温宏营;阮大鹏设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统和方法。本发明提供了一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统，包括：第一加热盘和第二加热盘，温度采集单元，对第一加热盘和第二加热盘进行温度采集；控制单元，设置于腔体外，调整执行单元的输出功率；执行单元，对第一加热盘、第二加热盘进行加热；其中，所述控制单元为PID控制器，选择多个温度区域段进行分段PID整定，对执行单元进行PID调节。本发明可以在不同温度环境下对两个加热盘的温度分别进行采集与校准，结合不同温度下PID控制曲线的采集与改进，配合温度多段PID整定，实现对单腔内两个加热盘的精准温度控制。

本发明授权一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统，其特征在于，包括：第一加热盘和第二加热盘，设置于腔体内，所述第一加热盘位于第二加热盘的上方；温度采集单元，设置在第一加热盘和第二加热盘上，对第一加热盘和第二加热盘进行温度采集；控制单元，设置于腔体外，根据接收的第一加热盘、第二加热盘的温度信息，调整执行单元的输出功率；执行单元，设置于腔体外，分别与第一加热盘、第二加热盘连接，对第一加热盘、第二加热盘进行加热；其中，所述控制单元为PID控制器，选择多个温度区域段进行分段PID整定，对执行单元进行PID调节；所述控制单元通过以下方式进行分段PID整定：对第一加热盘和第二加热盘进行升温，生成对应的两条升温曲线；将2条升温曲线的两个交点作为第一拐点和第二拐点；将第一拐点和第二拐点作为分段整定的第一整定温度和第二整定温度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。