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恭喜苏州磁亿电子科技有限公司代飞龙获国家专利权

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龙图腾网恭喜苏州磁亿电子科技有限公司申请的专利一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117038313B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311095021.1,技术领域涉及:H01F41/02;该发明授权一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法是由代飞龙;牛锋钢设计研发完成,并于2023-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法,该晶界扩散源,包括HRExLa1‑x68M1‑yGay32合金粉末,HRE选自Dy或Tb的一种或多种,M选自Fe、Co、Al、Ca、Cu、Ni、Ge、Zr、Ti、Nb、Mo、Hf、Ta或W中的一种或多种;其中,0≤x≤1,0≤y≤1,xHRE+xLa=68at.%,xM+xGa=32at.%,本发明的晶界扩散源,在晶界中La原子部分取代Ce可以减少甚至抑制CeFe2相的生成,有助于TbDy元素的扩散,La元素会形成Ia3_‑RE2O3晶界相,该相的润湿性易于形成光滑完整的晶间相有利于减弱近邻主相晶粒之间的交换耦合作用从而提高磁体的矫顽力;Ga元素扩散后生成的RE6Fe,M14相能降低晶界相中的α‑Fe含量,从而提高磁体的矫顽力,并且RE6Fe,M14相具有的反铁磁特性能提高磁体的矫顽力;La元素的价格远低于Tb元素的价格,成本低廉。

本发明授权一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种晶界扩散源,其特征在于:包括HRExLa1-x68M1-yGay32合金粉末,所述HRE是选自Dy或Tb的一种或多种,所述M是选自Fe、Co、Al、Ca、Cu、Ni、Ge、Zr、Ti、Nb、Mo、Hf、Ta或W中的一种或多种;其中,0<x<1,0<y<1,xHRE+xLa=68at.%,xM+xGa=32at.%。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州磁亿电子科技有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市吴江区同里镇九里湖村;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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